Si ウェーハの面取り加工

シリコンウェーハは半導体の基盤となり、集積回路の製造などに最も多く使用される素材です。
ウェーハ加工の工程において、面取り工程は非常に重要な工程であり、ウェーハの歩留まり、後工程への加工時間などに影響を及ぼします。

弊社の独自技術であるLDG研削(低歪研削)を行うことで研削面をRa=20nmの鏡面に仕上げることが可能です。
また、多品種のエッジ形状に対応しております。アズカットやラップ、エッチング後のウェハに対応可能です。

12inch → 8inch、4inch → 3inchなど、サイズダウンすることも可能です。

簡易な操作でR型・T型形状加工可能非対称形状も対応可能

固定砥粒で、歪みの少ない加工ができます。
仕上面粗さ(Ra＝200 nm ⇒ 20 nm) ※当社基準による算出