フルオート
レーザ
Φ300mm
半導体
Φ300mm対応 IRレーザ搭載 フルオートマチックダイシングマシン
ML3200
IRレーザエンジン搭載、Si内部にレーザ光を集光し、レーザ加工領域を形成し、エキスパンドプロセスにてチップへ個片化します。
お客様が採用される加工プロセスに応じて、ローダー仕様を選択出来ます。
製品に関するお問い合わせはこちら
お問い合わせ
特長
Siウエーハ表面に損傷を与えず非接触でのダイシングが可能
完全ドライプロセスに対応、加工負荷や水を嫌うMEMSデバイスなどの加工に最適です。
Siウエーハ厚みに応じて、加工スキャン数を調整することで、薄物～厚物まで幅広い厚みレンジに対応可能です。
収率アップによる大幅なコストダウン
ダイシングスクライブ幅を狭化することで、大幅な収率アップ、コストダウンに貢献します。
ウエーハサイズΦ200mm、チップサイズ 1.0mm□ 小チップデバイスの場合、
ダイシングスクライブ幅を90μmから20μmへデザイン変更することで、チップ収率は20%以上向上します。
生産性（スループット）の向上
高剛性プラットフォームを採用。高出力レーザエンジンの組合せにより、800mm/sec以上の高速ダイシングが可能。
豊富なオプション設定
装置内部クリーン化（クラス100）仕様、ウエハ厚み測長機能など、加工品質や生産性に関する
オプション機能を幅広く取り揃えております。
LAG Process
特長
完全ドライプロセス、水を嫌うMEMSデバイス等のダイシングに最適。
ダイシングストリート幅を狭化することで収率アップによるコスト低減が可能。
GAL Process
特長
メモリーデバイスに代表される極薄チップダイシングで実績多数。
低ダメージ、高抗折強度、高速ダイシングが可能。
仕様
| 最大ウェーハサイズ | Φ300 mm | |
| ハンドリング方式 | ウエーハハンドリング | |
| X軸 | 送り速度入力範囲 | 0.1-2,100 mm/sec |
| Y軸 | 分解能 | 0.0002 mm |
| 位置決め精度 | 0.002 mm/310 mm | |
| 諸元 | 寸法（W × D × H） | 1,712 mm×2,960 mm×1,800 mm |
| 質量 | 3,000 kg | |
関連製品
