Cu Damascene

かっぱーだましん

1997年IBMより発表。LSIの配線材料として従来より用いられていたアルミから低効率の低い銅を用いる為の配線形成技術。Cu配線を形成する為の配線溝をドライエッジング技術により形成後、メッキ技術によるCuの埋め込み、埋め込んだCu以外のCuをCMP技術により除去する。