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CMP装置

CMPとは、IC製造工程におけるウェーハ表面の平坦化技術の一種で、化学研磨剤、研磨パッドを使用し、化学作用と機械的研磨の複合作用で、ウェーハ表面の凹凸を削って平坦化する装置です。

ChaMP: 300mmウェーハ対応モデル

ACCRETECH（東京精密）は、これまで培ってきた精密計測機器及び半導体製造装置の技術を融合し、デザインルール90nmそして32nmデバイスで要求されるプロセス性能に十分に応えると共に、量産工場における要求にも応えた300mmウェーハ対応ＣＭＰ装置(ChaMPシリーズ)を提案いたします。

特長 1エアフロート式ヘッド "Sylphide"

  • エアフィルムによる均一な加圧で、表面基準研磨を実現しました。
  • エアフィルムとは独立したエアバッグでウェーハ加圧するため、特に低圧領域での制御性、安定性が良好です。
  • ゾーン制御も可能です（オプション）。

エアフロート式ヘッドSylphide

特長 2エッジ1mmまで均一に！！

1mm均一

特長 3ウェーハ加圧の制御性と再現性

ウェーハ加圧の制御性と再現性

特長 4容易な研磨ヘッドのメンテナンス

取り外し　およそ5秒

SiC NIST仕様
両手でスナップリングカバーを上にずらす

Si 8inch仕様
スナップリングを親指で広げる（リテーナは落ちる）

Si 6025仕様
リテーナを完全に外す

取り付け：およそ10秒

  1. 両手でスナップリングを持ちつつリテーナをキャリアに押し付け、少し回して位置決めピンが入る位置で面を合わせる。
  2. スナップリングを全周に取り付け、カバーを降ろすだけ。

ChaMP：200/150mmウェーハ対応モデル

200/150mmウェーハ対応モデル