特長

MAHOHDICING の原理

高加工品質

薄ウェーハ（３０μm）切断可能

ML200 は薄ウェーハであっても、高速（300mm/s）切断が可能です。

チッピングレス

チッピング極小

完全ドライプロセス

完全ドライプロセスの為、水分を嫌う光デバイスなどに最適な加工技術です。

高スループット

ブレードダイシングより４倍以上の高速切断

ML200は厚さ100 μ m 以下の薄ウェーハであっても300mm/sec という高速切断が可能で、スループット向上に大きく貢献しています。

チップ収率大幅UP

ブレードダイシングで必要なカーフロスは０μm となり、ダイシングストリート幅の設計を大幅に縮小することが可能になります。ウェーハあたりのチップ収率を極限まで高められる技術です。

チップ切断比較

歩留り向上

抗折強度の向上

ウェーハ表面に損傷を与えず内部のみを割断するため、チップ裏面に存在するチッピングが極小に抑えられ、抗折強度が向上し、パッケージ工程でピッキング時の割れ強度が向上し、ダイボンダ工程でのタクト向上と歩留りに貢献します。

ブレードダイシングより４倍以上の高速切断

ML200 は厚さ100 μ m 以下の薄ウェーハであっても300mm/sec という高速切断が可能で、スループット向上に大きく貢献しています。

高信頼性

面吸着ハンドリング搭載

裏面レーザ照射の場合ウェーハを面吸着で搬送できます。

新改良の吸着式フレームハンドリング

安全スライドカバー

レーザ照射中はスライドカバーの開閉により安全に作業ができます。

インスペクションステージ搭載

ダイシング工程では不可欠なインスペクション作業において指定ウェーハを自動的にインスペクションステージに抜き取ることができます。
また、インスペクション後はステージに戻し元のカセットスロットへ自動収納できます。

切削状況を確認するインスペクションステージ

管理コスト削減

廃液処理不要

加工時、Si 内部に改質層が形成される為、廃塵が極小で廃液処理費用がかかりません。

ブレード交換不要

ML200 ではブレードを使用しないので、ブレード費用の削減および、ブレード交換工数・磨耗状態の品質管理工数も不要です。

切削水不要

完全ドライプロセスの為、純水は使用しません。コンタミネーションも発生しないので、洗浄工程も不要です。

詳細仕様

ML200 MAHOHDICING MACHINE　仕様

適用ウェーハサイズ		円形ウェーハ：φ2"～φ8"
適応フレームサイズ		φ5"～φ8"用フレーム
X軸	ストローク	419mm
	移動速度	0.1～600mm/s
	制御分解能	0.002mm
	真直度	0.0015mm/210mm（水平、垂直共）
Y軸	ストローク	320mm
	移動速度	max. 100mm/s
	制御分解能	0.0002mm（クローズドループ）
	位置決め精度	0.002mm/250mm
Z軸	ストローク	9mm
	移動速度	max. 20mm/s
	制御分解能	0.0001mm（クローズドループ）
	位置決め精度	0.001mm/1mm
諸元	電源	入力電源：AC200V±10％　3 相　50/60Hz （200/220/240/380/415V 対応可能のトランスを内蔵）
	消費電力	4KVA
	空気源	圧力：0.5 ～ 0.7MPa
	N2	圧力：0.5 ～ 0.7MPa
	恒温水装置冷却水（レーザー冷却用）	圧力：0.2 ～ 0.5MPa（市水可）
	主要寸法	1,520W×1,290D×1,900H mm（突起物は含まず）
	重量	1,600Kg

ML200 MAHOHDICING MACHINE　外観図